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适用专业：工艺设计
适用年级：大学
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资料简介：
毕业设计 芯片封装工艺技术设计(共81页,58259字)
摘要：本设计为中芯国际成都封装测试厂从来料（晶圆）开始，经过前道的晶圆表面贴膜（WTP）→晶圆背面研磨（GRD）→晶圆背面抛光（polish）→晶圆背面贴膜（W－M）→晶圆表面去膜（WDP）→晶圆烘烤（WBK）→晶圆切割（SAW）→切割后清洗（DWC）→晶圆切割后检查（PSI）→紫外线照射（U－V）→晶片粘结（DB）→银胶固化（CRG）→引线键合（WB）→引线键合后检查（PBI）；在经过后道的塑封（MLD）→塑封后固化（PMC）→正印（PTP）→背印（BMK）→切筋（TRM）→电镀（SDP）→电镀后烘烤（APB）→切筋成型（T－F）→终测（FT1）→引脚检查（LSI）→最终目检（FVI）→最终质量控制（FQC）→烘烤去湿（UBK）→包装（P－K）→出货检查（OQC）→入库（W－H）等工序对芯片进行封装和测试，最终出货给客户的一整套工艺流程。
[关键词] ：封装 测试 切割
目录
第1章芯片封装工艺技术流程第节……………………1
第一节工艺流程…………………………………………1
第二节工艺介绍…………………………………………1
第2章后道操作规范……………………………………7
第3章塑封操作规范……………………………………12
第一节塑封后固化操作…………………………………12
第二节塑封后固化烘箱操作……………………………13
第三节MOLD作业程序指导……………………………15
第四节全自动塑封机器操作规范………………………18
第4章前道废品标准……………………………………20
第5章后道废品标准……………………………………24
第6章机台操作规范……………………………………29
第一节X-ray操作规范……………………………………29
第二节后道测试机台操作O.I……………………………31
第三节后度测试机台操作O.I……………………………33
第7章TO220的标准操作流程…………………………38
第一节Cu制程TO220的标准操作流程………………38
第二节Ni制程TO220的标准操作流程…………………39
第8章产品检验规范………………………………………41
第一节电镀产品的检验规范……………………41
第二节客户产品最终测试流程……………………43
第三节TSOP54和TSOP50产品的标准测试流程………46
第9章ESD防护……………………………………………49
第10章SPC…………………………………………………51
第11章混料控制……………………………………………52
第12章无尘室行为规范…………………………………53
第13章6S…………………………………………………55
第14章芯片封装技术简介………………………………56
第一节DIP封装……………………………………………56
第二节芯片载体封装………………………………………57
第三节BGA封装……………………………………………57
第四节面向未来的新的封装技术…………………………57
第五节常见的封装类型……………………………………58
第15章常见的封装技术……………………………………60
第16章CPU封装技术……………………………………63
第17章封装技术……………………………………………69
第一节芯片封装的主要步骤………………………………69
第二节内存芯片封装方式…………………………………73
第三节重分布芯片封装……………………………………75
结束语………………………………………………………77
参考文献……………………………………………………78
致谢…………………………………………………………79
附录:芯片封装流程图……………………………………80
资料文件预览：
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- 毕业设计-芯片封装工艺技术设计
- 芯片封装工艺流程技术设计
封面及目录.doc [53.50KB]- 开题报告封面.doc [26.00KB]
- 开题报告正文.doc [73.50KB]
- 毕业论文正文.doc [454.00KB]
- 芯片封装流程图.doc [34.00KB]
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