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资料简介：
　　论文 大功率微波功放集成工艺探讨，共4页，2328字
　　
摘要
　　
本文试图探讨大功率微波功放的集成工艺，分析了CrSi-Cr-Cu-Ni-Au系薄膜工艺的优缺点和大功率功放的微组装工艺。
　　

　　
一、前言
　　
自六十年代以来，厚薄膜混合集成工艺迅速发展，已广泛应用于电子、通讯、汽车、军事等领域，在这四十年的发展中，厚膜、薄膜混合集成电路工艺和集成、封装工艺也日趋成熟。厚膜走过了单层电路并发展为多层厚膜和低温共烧（LTCC），薄膜则发展为不同的多层薄膜电路和几种相对稳定的工艺体系，其中TaN-TiW-Au系薄膜应用十分广泛；NiCr-Au、Cr-Au系薄膜工艺简单而稳定；CrSi-Cr-Cu-Ni-Au系薄膜工艺相对其它薄膜工艺而言，是以Cu为主要导体层具有鲜明的特色。虽然其薄膜电路制作工艺流程长、工序复杂，但是其产品成本低、电性能、微波性能优良且组装时与锡钎焊工艺兼容，特别适合于大功率微波功放等微波器件。微波功放的组装不仅需满足其微波特性，而且必须确保产品的可靠性，因此在组装时必须解决功放管芯的散热，内引线的可靠连接和气密性封装。
　　
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• 论文-大功率微波功放集成工艺探讨
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